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SiRA02DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
80
60
V GS = 10 V thru 4 V
10
8
6
T C = 25 ° C
40
V GS = 3 V
4
20
2
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
0.0025
0.0023
0.0021
0.0019
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
7000
5600
4200
2800
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
C oss
0.0017
V GS = 10 V
1400
C rss
0.0015
0
16
32
48
64
80
0
0
5
10
15
20
25
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 10 A
1.7
I D = 15 A
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Capacitance
8
6
V D S = 15 V
1.5
1.3
V GS = 10 V
4
V D S = 10 V
V D S = 20 V
1.1
V GS = 4.5 V
2
0.9
0
0
16
32 48
64
80
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total G ate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 63773
S12-3075-Rev. B, 24-Dec-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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